用于半導體晶圓清洗工藝的電暈；隨著半導體技術(shù)的不斷發(fā)展，電暈處理材料表面的圖片對加工工藝的要求越來越高，特別是對半導體芯片和晶圓的工藝性能要求越來越嚴格，首要因素是晶圓表面的顆粒物和金屬材料殘留污染會嚴重影響電子元器件的產(chǎn)品質(zhì)量和合格率。在目前的集成電路芯片制造中，由于晶圓表面存在沾污問題，仍要消耗50%以上的原材料。在半導體芯片加工工藝中，基本上每道工序都需要清洗，晶圓清洗產(chǎn)品的質(zhì)量嚴重影響電子元器件的穩(wěn)定性。

該噴射電暈流為中性，電暈處理材料表面不帶電，可對各種聚合物、金屬、半導體、橡膠、PCB線路板等材料進行表面處理；2.電暈器處理后，去除碳化氫污垢，如油脂和輔助添加劑，有利于粘結(jié)，性能持久穩(wěn)定，保留時間長；3.低溫，適用于那些表面材料對溫度敏感的產(chǎn)品；4.無需箱體，可直接安裝在生產(chǎn)線上進行在線操作加工。

電暈作用于材料表面，電暈處理材料表面的圖片使表面分子的化學鍵重新結(jié)合，形成新的表面特性。對于一些特殊用途的材料，電暈的輝光放電不僅加強了這些材料的附著力、相容性和潤濕性，還能對其進行消毒殺菌。電暈廣泛應用于光學、光電子、電子學、材料科學、生命科學、高分子科學、生物醫(yī)學、微觀流體等領(lǐng)域。如果您對電暈技術(shù)真空電暈感興趣或想了解更多詳情，請點擊我們的在線客服進行咨詢，也可直接撥打全國統(tǒng)一服務熱線。

薄膜表面電暈處理器的作用和特點不但不降低薄膜固有的物理機械性能，電暈處理材料表面的圖片反而提高了其對油墨的潤濕性和附著力。。電暈處理材料表面dyne值的提高；電暈處理是一種電擊方法，可以使基材表面具有較高的附著力。其原理是利用高頻高壓對處理后的塑料表面進行電暈放電（高頻交流電壓高達5000-15000V/m2)，產(chǎn)生低溫電暈，塑料表面發(fā)生自由基反應，聚合物會發(fā)生交聯(lián)進而表面變得粗糙，增加電暈對極性溶劑的潤濕性。

電暈處理材料表面

有時，銀漿和其他粘結(jié)劑溢出污染粘結(jié)填料。如果在熱壓鍵合工藝前用電暈清洗去除這些污染物，可以大大提高熱壓鍵合質(zhì)量。此外，由于裸芯片的基板與IC表面的潤濕性提高，也提高了LCD-COG模塊的結(jié)合緊密性，減少了電路腐蝕問題。電暈清洗技術(shù)可以去除金屬、陶瓷、塑料和玻璃表面的有機污染物，顯著改變這些表面的粘附和焊接強度。電離過程易于控制，重復安全。

從污染物來源看，微電子器件表面污染物主要包括外源分子的附著；器件表面與環(huán)境接觸時自然形成的氧化層有兩種。電暈表面處理技術(shù)可以有效處理這兩類表面污染物，處理過程中首先需要選擇合適的工藝氣體。氧氣和氬氣在電子元器件的表面處理中是常見的。

以硅片面板為例，根據(jù)測試，采用傳統(tǒng)的硅基太陽能制造工藝，不經(jīng)低溫電暈處理生產(chǎn)多晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率在17%左右，很難突破。結(jié)果表明，多晶硅太陽電池經(jīng)低溫電暈設(shè)備處理后，峰值功率和光電轉(zhuǎn)換效率平均提高約5%。由此推測，低溫電暈處理多晶硅電池表面的方法可以鈍化氮化硅表面，去除磷硅玻璃，清潔電池，優(yōu)化表面絨面革，從而可以提高太陽能電池的產(chǎn)品性能。

分成三種電暈效應：微噴砂處理：離子沖擊剝蝕表面化學反應：電離氣體與表面紫外輻射反應：紫外輻射分解長鏈碳化合物。電暈的作用方式也會隨著壓力、功率、工藝時間、氣體流量、氣體成分等工藝參數(shù)的變化而變化。這樣，在單個工藝步驟中可以實現(xiàn)多種效果。

電暈處理材料表面的圖片

三是只用氬氣，電暈處理材料表面的圖片僅用氬氣就可以實現(xiàn)表面改性，但效果相對較弱。這是一個特例，是少數(shù)工業(yè)客戶需要有限而均勻的表面改性解決方案。3.安全易用。常壓電暈也是一種低溫電暈，不會對材料表面造成損傷。例如，對方阻敏感的ITOFilm材料也可以進行處理。無電弧，無真空室，無排氣系統(tǒng)，長期使用不會對操作人員造成身體損傷。手4。區(qū)域很廣。常壓電暈可加工最大寬度為2m的材料，可滿足現(xiàn)有大多數(shù)工業(yè)企業(yè)的需求。5.低成本。