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金徠技術(shù)

ShenZhen City JinLai Technology Co.,Ltd.

氮化硅的表面改性

我知道的是:表面激光合金化、噴丸、滲碳、氮化、鍍膜,氮化硅的親水性其實(shí)你要說(shuō)得更詳細(xì)一些,比如金屬表面處理使金屬?gòu)?qiáng)化方法或者耐腐蝕性增強(qiáng)等等,因?yàn)榻饘俦砻嫣幚淼姆椒ê芏啵械纳婕拔锢碜兓?,有的涉及化學(xué)變化,它們的金屬表面處理目的是不一樣的。如果用單指等離子表面處理器處理,如果是各種塑料,一般可以保持40小時(shí)左右,效果比較理想。特定的塑料制品需要特定的差異;如果是金屬,可以保存40多個(gè)小時(shí),但效果會(huì)越來(lái)越弱。。

氮化硅的親水性

因此,氮化硅的親水性如果發(fā)現(xiàn)等離子體表面墊圈的側(cè)壁蝕刻的主蝕刻步驟的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)被暴露,則立即停止蝕刻并切換過(guò)蝕刻步驟。主刻蝕步驟中殘留的氮化硅膜通過(guò)過(guò)刻蝕步驟被刻蝕去除,同時(shí)停止在氧化硅膜上,以防止損壞下面的硅襯底。過(guò)蝕刻步驟通常使用 CH3F 或 CH2F2 和 O2 氣體的組合。 CH3F 氣體分解為 CHx 和 F. + H。等離子體中的撞擊離子會(huì)破壞 Si-O 鍵。

由于氮化硅的流動(dòng)性不如氧化物,氮化硅的親水性蝕刻難度較大。等離子體表面處理機(jī)可以解決蝕刻的困難。等離子體蝕刻是通過(guò)化學(xué)或物理作用,或物理和化學(xué)作用的結(jié)合來(lái)進(jìn)行的。在反應(yīng)過(guò)程中,通過(guò)反應(yīng)室中的氣體輝光放電,從而形成含離子等離子體,電子、自由基等活性物質(zhì),這些物質(zhì)由于其擴(kuò)散特征,將吸附介質(zhì)的表面,與介質(zhì)的表面原子的化學(xué)反應(yīng),揮發(fā)物。

2021年GaN技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)是什么?對(duì)此,氮化硅的親水性GaN系統(tǒng)做出了四個(gè)預(yù)測(cè): ■ 預(yù)測(cè)一:充電器和適配器領(lǐng)域回顧2020年,今年是氮化鎵充電器之年。在售后市場(chǎng)方面,有用于手機(jī)、平板電腦和手持游戲設(shè)備的各種充電器和適配器。隨著多端口適配器的興起,到 2021 年,OEM 將越來(lái)越多地采用 GaN 充電器。

1、氮化硼是親水性嗎(氮化硼是親水性還是疏水性)

2、氮化硼涂料附著力(氮化硼涂料在金屬的附著力)

3、氧化硅的親水性原理(氮化硅和氧化硅的親水性)

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