作為稀釋氣體，氮化硼的表面改性Ar和He對(duì)GST形態(tài)影響不大，但He用于四線圖組時(shí)，邊緣圖和中心圖的負(fù)荷較小。對(duì)于Ar，載荷更顯著，這可能是由于Ar和he 2之間存在顯著的質(zhì)量差異所致。氮化鈦是GST刻蝕常用的硬掩模，其輪廓形狀直接影響底層GST的輪廓。氯氣(Cl)主要用于氮化鈦的蝕刻。
在射頻低溫等離子體發(fā)生器氮化中，氮化硼的表面改性低溫等離子體發(fā)生器的產(chǎn)生和襯底偏壓的產(chǎn)生是分開控制的，因此離子能量轉(zhuǎn)換和襯底表面通量可以分開控制。由于工作壓力相對(duì)較低，消耗的氣體量也相應(yīng)減少（低）。在滲氮過程中，低能量轉(zhuǎn)換的直流輝光放電可產(chǎn)生NH原子，這些高活性原子可用于滲氮。整個(gè)過程需要外接電源對(duì)工件進(jìn)行加熱，與氣體滲氮工藝類似。這類工業(yè)不僅可以精確控制表面拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，而且可以選擇是否形成復(fù)合層。
在等離子體表面處理改性過程中，氮化硼的表面處理改性不僅可以去除污垢(如有機(jī)物)，還可以產(chǎn)生一些功能極性基團(tuán)，促進(jìn)鍵合，通過交聯(lián)產(chǎn)生獎(jiǎng)勵(lì)效應(yīng)。電暈放電是許多聚合物在纏繞和涂覆過程中經(jīng)常使用的一種方法，對(duì)許多聚合物具有經(jīng)濟(jì)有效的作用。新開發(fā)的表面處理技術(shù)可以對(duì)射頻廠的混合氣體進(jìn)行電離，并結(jié)合直流磁控濺射技術(shù)，利用等離子體處理技術(shù)對(duì)其表面進(jìn)行氧化、氮化、氨化或水解等處理，以提高材料的表面能，改善其結(jié)合性能。
氮化硅薄膜用于制造新的功能性、多功能、可靠的器件和等離子表面處理，氮化硼的表面處理改性其性能高度依賴于薄膜的制造條件。等離子化學(xué)氣相沉積（簡稱PECVD）具有沉積溫度低（<400℃）、沉積膜針孔密度低、均勻性高、臺(tái)階覆蓋率好等優(yōu)點(diǎn)。 PECVD氮化硅薄膜技術(shù)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件和集成電路的開發(fā)、芯片固定化膜的制作、多層布線之間的介質(zhì)膜的制造，并已發(fā)展為大規(guī)模和超大規(guī)模集成。
